半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測(cè)量的意義與挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測(cè)量是半導(dǎo)體制造和研發(fā)過(guò)程中至關(guān)重要的一環(huán)。它不僅可以提供制造工藝的反饋和優(yōu)化依據(jù)，還可以保證半導(dǎo)體器件的性能和質(zhì)量。在這個(gè)領(lǐng)域里，測(cè)量的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性是關(guān)鍵。

半導(dǎo)體器件通常是由多層薄膜組成，每一層的厚度都對(duì)器件的功能和性能有著直接的影響。只有準(zhǔn)確測(cè)量每一層的厚度，才能保證半導(dǎo)體器件的性能符合設(shè)計(jì)要求。此外，形貌測(cè)量還可以提供制造工藝的反饋信息，幫助工程師優(yōu)化制造工藝，提高生產(chǎn)效率和器件可靠性。

然而，半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測(cè)量的精度要求非常高。由于半導(dǎo)體器件的特殊性，每一層的厚度通常在納米級(jí)別，甚至更小。因此，測(cè)量設(shè)備和技術(shù)必須具備高精度和高分辨率的特點(diǎn)，才能滿足測(cè)量需求。而且測(cè)量的速度也是一個(gè)難題。由于半導(dǎo)體制造通常是大規(guī)模批量進(jìn)行的，因此，測(cè)量設(shè)備和技術(shù)必須能夠在短時(shí)間內(nèi)完成對(duì)多個(gè)晶圓的測(cè)量，否則將成為制造過(guò)程的瓶頸。

半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測(cè)量還面臨著表面反射、多層結(jié)構(gòu)、透明層等特殊材料和結(jié)構(gòu)的干擾。這些干擾因素可能會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果的不準(zhǔn)確甚至錯(cuò)誤。因此，需要開(kāi)發(fā)出能夠針對(duì)不同材料和結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)量的算法和技術(shù)，以提高測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性。

半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測(cè)量設(shè)備有哪些？

為了解決上述挑戰(zhàn)，中圖儀器科研人員和工程師們不斷推動(dòng)著半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測(cè)量技術(shù)的發(fā)展。他們不斷改進(jìn)和創(chuàng)新測(cè)量設(shè)備，提高測(cè)量的精度和速度。同時(shí)，他們也不斷完善測(cè)量算法和技術(shù)，以應(yīng)對(duì)不同材料和結(jié)構(gòu)的測(cè)量需求。這些努力不僅有助于提高半導(dǎo)體器件的制造質(zhì)量和性能，還為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展提供了有力支撐。

W1-pro 光學(xué)3D表面輪廓儀X/Y方向標(biāo)準(zhǔn)行程為200*200mm，可覆蓋8英寸及以下晶圓，定制版真空吸附盤，穩(wěn)定固定Wafer；氣浮隔振+殼體分離式設(shè)計(jì)，隔離地面震動(dòng)與噪聲干擾。

臺(tái)階儀能夠測(cè)量樣品表面的2D形狀或翹曲，如在半導(dǎo)體晶圓制造過(guò)程中，因多層沉積層結(jié)構(gòu)中層間不匹配所產(chǎn)生的翹曲或形狀變化，或者類似透鏡在內(nèi)的結(jié)構(gòu)高度和曲率半徑。

測(cè)量晶圓

WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，其測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。

無(wú)圖晶圓厚度、翹曲度的測(cè)量

通過(guò)不斷的創(chuàng)新和技術(shù)進(jìn)步，中圖儀器將為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步注入新的活力。